Cascade

Cascade Microtech

Cascade Microtech, opérant désormais sous FormFactor, est un fabricant de sondes RF et hyperfréquences de précision pour la mesure de dispositifs sur wafer. Ses sondes permettent aux ingénieurs d'effectuer des mesures électriques directement sur les wafers semi-conducteurs avant la découpe, en supportant la caractérisation de dispositifs sur une gamme de fréquences du continu aux ondes millimétriques. La série Infinity Probe utilise une conception brevetée pour atteindre une inductance parasite et une capacitance extrêmement faibles, la rendant appropriée pour les mesures de paramètres S, la caractérisation du facteur de bruit et l'analyse d'intégrité du signal haute fréquence sur wafer.

Les sondes Cascade Microtech sont utilisées en conjonction avec des analyseurs de réseaux vectoriels (VNAs) et d'autres instruments RF pour caractériser les transistors, les MMICs, les composants passifs et les interconnexions au niveau du wafer. Leurs configurations GSG (masse-signal-masse) et GSGSG (masse-signal-masse-signal-masse) sont des géométries de pointe de sonde standardisées par l'industrie pour l'accès aux dispositifs à guide d'onde coplanaire et microruban.

Principales gammes de produits

• Série Infinity Probe — sondes hautes fréquences RF/hyperfréquences pour wafer en configurations GSG, GSGSG et multi-contacts
• Sondes ACP — sondes coplanaires à air pour mesure large bande de paramètres S sur wafer
• Positionneurs de sondes et stations — infrastructure mécanique de précision pour les configurations d'accès au niveau du wafer

Secteurs desservis

Les sondes Cascade Microtech sont utilisées dans la R&D des semiconducteurs, la fabrication de dispositifs semi-conducteurs composés, la conception et caractérisation de MMICs, les tests de photonique et le développement de circuits intégrés avancés. Leurs équipements se trouvent dans les laboratoires de recherche gouvernementaux, les installations universitaires de microélectronique et les fonderies commerciales travaillant sur des dispositifs RF basés sur GaAs, GaN, InP et silicium.