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Keysight B1530A Unité Générateur de Forme d'Onde/Mesure Rapide

Keysight B1530A Waveform Generator/Fast Measurement Unit

Keysight · Modèle : B1530A Sur commande
Keysight B1530A Unité Générateur de Forme d'Onde/Mesure Rapide
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Keysight B1530A intègre la génération de forme d'onde et la mesure IV haute vitesse avec technologie SMU dynamique, éliminant les effets de charge pour des mesures d'impulsion et transitoires précises.

Modèle B1530A
Fabricant Keysight
Catégorie Analyseurs LCR et d'impédance
Disponibilité Sur commande

Aperçu

Keysight B1530A Waveform Generator/Fast Measurement Unit (WGFMU) est un module spécialisé pour l'analyseur de paramètres semiconducteurs B1500A conçu pour les mesures IV ultra-rapides, IV pulsées et IV transitoires. Il intègre la génération de forme d'onde arbitraire avec des capacités de mesure haute vitesse simultanées, utilisant la technologie SMU dynamique propriétaire de Keysight pour éliminer les effets de charge qui affectent les combinaisons de générateur d'impulsion et d'oscilloscope traditionnelles.

B1530A répond au besoin critique de caractérisation précise des dispositifs semiconducteurs de nouvelle génération, en particulier pour les mesures de fiabilité dépendante du temps qui sont devenues de plus en plus importantes dans le développement de dispositifs avancés.

Caractéristiques Principales

  • Génération de forme d'onde arbitraire avec résolution programmable de 10 ns (sortie crête-à-crête de 10V)
  • Mesure voltage/courant haute vitesse à 200 MSa/s (taux d'échantillonnage de 5 ns)
  • Sortie à deux canaux pour les mesures multi-points simultanées
  • Capacité de gamme dynamique pour une mesure précise sur de larges plages de courant
  • Mesures d'impulsion et transitoires sans effet de charge utilisant la technologie SMU dynamique
  • Résolution de mesure supportant la sensibilité au niveau du femtoampère

Applications

  • Caractérisation ultra-rapide NBTI (instabilité de biais de température négative) et PBTI (instabilité de biais de température positive)
  • Mesure du bruit du signal télégraphique aléatoire (RTN)
  • Tests de fiabilité semiconducteur avancés et caractérisation des dispositifs
  • Mesure des paramètres de dispositif dépendants du temps
Arbitrary Waveform Resolution 10 ns
Output Voltage 10 V peak-to-peak
Measurement Speed 200 MSa/s
Sampling Rate 5 ns
Channels 2 (dual)
Measurement Sensitivity Femtoamp level
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